用磁控溅射方法在A12O3基片上沉积Au/NiCr/Ta多层金属膜,通过X射线衍射技术研究退火前后薄膜晶体取向的变化,Auger电子能谱分析退火前后薄膜沿深度方向的元素分布,四点探针测试退火前后薄膜表面电阻率.结果表明:退火后111Au与200Au衍射强度相对比值减小;薄膜表面电阻率异常增大;退火温度越高,薄膜表面电阻率越大.分析认为主要是由于Ni,Cr元素向金膜表层扩散导致薄膜表面电阻率异常增大.
参考文献
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