阳离子铱(Ⅲ)配合物掺杂的SiO2微粉的制备及在发光二极管中的应用

无机材料学报, 2015, 30(11): 1195-1200. doi: 10.15541/jim20150179

阳离子铱(Ⅲ)配合物掺杂的SiO2微粉的制备及在发光二极管中的应用

孟国云 ^1, , 陈泽宇 ^2, , 刘永 ^3, , 魏丽莹 ^4, , 汪正良 ^5, , 唐怀军 ^6,

基金项目: 云南省教育厅理工重点资助项目(2011Z003) Key Scientific Research Fund of Yunnan Province Education Department (2011Z003) 国家自然科学基金(21262046,21261027) National Natural Science Foundation of China (21262046,21261027)

关键词：阳离子铱(Ⅲ)配合物 , 发光二极管 , 下转换发光材料 , 溶液-凝胶法

Cationic Iridium(Ⅲ) Complex Doped in SiO2 Micropowder: Preparation and Application in Light-emitting Diodes

Keywords： cationic iridium(Ⅲ) complex , light-emitting diode , down-conversion luminescent materials , Sol-Gel

将硅酸乙酯水解得SiO2溶胶,陈化ld后掺入15.0wt％阳离子铱(Ⅲ)配合物[Ir(ppy)2(o-phen)] [PF6](ppy∶2-苯基吡啶;o-phen∶1-乙基-2-(4-(5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基)-苯基)-1H-咪唑并[4,5-f][1,10]菲哕啉),45℃恒温3d后室温放置10d得干凝胶,再经研磨和150℃干燥8h制得黄色发光微粉.将所得的发光微粉按6.0、9.0、12.0、15.0、18.0和21.0wt％掺入到环氧树脂中,作为下转换发光材料涂敷在395 nm发射的InGaN芯片上制备成LED器件.掺入12wt％ SiO2微粉的LED发光性能最佳,在40.0 mA正向电流和5V反向电压下,该LED达到最大发光效率51.9 lm/W,CIE色坐标为(0.42,0.42).

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