采用热氧化方法,在泡沫铜上制备了高度有序的三维CuO纳米线(CuO NWs)阵列;利用扫描电镜(SEM),X射线衍射仪(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对CuO NWs阵列的形貌、成分以及结构等进行了表征.重点研究了不同氧化温度对CuO NWs形貌和氧化物平均晶粒尺寸的影响,讨论了纳米线的生长机制.结果表明:CuO NWs直径随温度升高而增大,密度随Cu20平均晶粒尺寸增大而减小,CuO NWs的最佳生长温度为400℃,直径在50~ 120 nm,长度可达5μm,长径比最大,不易脱落.同时也研究了CuO NWs阵列光催化降解甲基橙的能力.结果表明:CuO NWs在可见光和紫外光照射下对甲基橙进行光催化降解时,其降解效率分别高达76.6%和87.2%.
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