采用原位氧化的方法,通过氢化锆直接与02反应在表面生成氧化膜作为氢渗透阻挡层.分析了氧化工艺参数对氧化膜生长速度的影响,并对氧化膜的物相组成、截面形貌和阻氢性能进行了研究.结果表明,温度是影响氧化膜生长速度的主要因素,氢化锆在450℃以下的温度范围内氧化,氧化膜生长速度很小,氧气分压对氧化膜生长速度无明显影响;在450℃以上,氧化膜生长速度随着氧气分压的增大和氧化温度的升高而增大;氧化膜的质量增重与氧化时间的关系曲线符合抛物线生长规律.氧化膜为双相复合结构,由单斜相M-Zr02和四方相T-Zr02组成.氢化锆原位氧化后经650℃真空脱氢50 h后样品失氢量低于0.2％.
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