巨介电常数陶瓷CaCu3 Ti4 O12的研究进展?

材料导报, 2016, 30(19): 89-94. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.19.013

巨介电常数陶瓷CaCu3 Ti4 O12的研究进展?

宋江 ^1, , 成鹏飞 ^2, , 王秋萍 ^3, , 余花娃 ^4, , 李盛涛 ^5, , 李建英 ^6,

1.西安工程大学理学院,西安,710048

2.西安工程大学理学院,西安,710048

3.西安工程大学理学院,西安,710048

4.西安工程大学理学院,西安,710048

5.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

6.西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安,710049

基金项目: 西安工程大学研究生创新基金项目(CX201616) 西安工程大学博士科研启动基金项目(BS0814,BS1436) 陕西省教育厅科研专项项目(12JK0434,2010JK573,15JK1325) 国家自然科学基金(51277138,51177121,50972118)

关键词： CaCu3 Ti4 O12 , 巨介电常数 , 介电损耗

Development of CaCu3 Ti4 O12 Ceramics with Giant Dielectric Constant

Keywords： CaCu3 Ti4 O12 , giant dielectric constant , dielectric loss

CaCu3 Ti4 O12(CCTO)陶瓷具有高介电常数和高热稳定性，这使得 CCTO 可能在高密度信息储存、高介电电容器、大规模集成电路等领域获得广泛使用。系统地介绍了 CCTO 高介电常数起源的内禀机制和外禀机制，详细归纳了元素掺杂对CCTO介电特性的影响，阐述了巨介电常数与本征点缺陷的内在关联，肯定了晶粒电导赝极化理论，指出了CCTO巨介电常数陶瓷研究的重点在于：基于外禀机制的 IBLC模型，通过晶胞掺杂或晶界掺杂改变晶粒或者晶界的电导，进而调控CCTO的介电损耗，使 CCTO 保持较高介电常数的前提下，在很宽的频率范围内使介电损耗正切值降低到0.1以下。

CaCu3 Ti4 O12 (CCTO)ceramics possess giant dielectric constant and high thermal stability,which makes it possible for CCTO to be used widely in high-density information storage,colossal dielectric capacitor,and electronic components.In this paper,research progress of CCTO ceramics at home and abroad is reviewed.The origin mechanism of the giant dielectric constant of CCTO ceramics,including the internal mechanism and the outside mecha-nism,is discussed.The influence on dielectric properties of doping in grain or at grain boundary is compared.After detailed analysis,the correctness of the mechanism of pseudo polarization by grain conduction is confirmed and the ef-fective way of reducing dielectric loss of CCTO is proposed.

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