氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响

材料导报, 2015, 29(18): 152-159. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.18.033

氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响

来国红 ^1, , 余志强 ^2, , 张昌华 ^3, , 廖红华 ^4,

1.湖北民族学院电气工程系,恩施,445000

2.湖北民族学院电气工程系,恩施,445000

3.湖北民族学院电气工程系,恩施,445000

4.湖北民族学院电气工程系,恩施,445000

基金项目: 湖北省自然科学基金(2015CFC784)

关键词：第一性原理 , 单层二硫化钼 , 电子结构 , 光电性质

Electronic Structure and Photoelectric Properties of O-and Se-doped Single-layer MoS2

Keywords： first-principles , single-layer MoS2 , electronic structure , photoelectric properties

基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响.结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64 eV.单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础.

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氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响

Electronic Structure and Photoelectric Properties of O-and Se-doped Single-layer MoS2

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