欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

参考文献

[1] Gisele H..GaAs W-band IMPATT diodes for very low-noise oscillators[J].Electronics Letters,19902(2):109-110.
[2] Suranjana Banerjee;Monojit Mitra.Heterojunction DDR THz IMPATT diodes based on AlxGa1-xN/GaN material system[J].半导体学报(英文版),2015(06):39-46.
上一张 下一张
上一张 下一张
计量
  • 下载量()
  • 访问量()
文章评分
  • 您的评分:
  • 1
    0%
  • 2
    0%
  • 3
    0%
  • 4
    0%
  • 5
    0%