半导体学报（英文版）, 2016, 37(4): 69-72. doi: 10.1088/1674-4926/37/4/044007

基金项目: Project supported by the National Natural Science Foundation of China (No.61306113).

AlN/GaN high electron mobility transistors on sapphire substrates for Ka band applications

Keywords： AlN/GaN

参考文献

[1]	Meyer, D. J.;Deen, D. A.;Storm, D. F.;Ancona, M. G.;Katzer, D. S.;Bass, R.;Roussos, J. A.;Downey, B. P.;Binari, S. C.;Gougousi, T.;Paskova, T.;Preble, E. A.;Evans, K. R..High Electron Velocity Submicrometer AlN/GaN MOS-HEMTs on Freestanding GaN Substrates[J].IEEE Electron Device Letters,20132(2):199-201.
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