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中国材料进展, 2017, 36(5): 352-357.
10.7502/j.issn.1674-3962.2017.05.05
Cu/Zr纳米多层膜的调制结构与电阻率

张国君 1, , 关志良 2, , 李娇 3, , 王涛 4, , 张金钰 5,

1.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
2.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
3.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
4.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
5.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,陕西西安,710049
采用磁控溅射技术在单晶硅片上制备了恒定调制周期(λ =25,40 nm)、不同调制比(η=0.1～ 10.5)的Cu/Zr纳米多层膜.分别通过透射电子显微镜研究分析Cu/Zr多层膜的微观结构,通过四探针测量法系统研究Cu/Zr多层膜电阻率的尺寸效应.微观结构分析表明:Cu/Zr多层膜呈现周期性层状结构,层界面清晰.调制周期与调制比均显著影响Cu/Zr多层膜的电阻率(p).相同调制周期下,η大于临界调制比(ηc≈1)时,ρ几乎与η无关;而η小于此临界调制比(ηc≈1)时,p随η减小急剧增大.利用Fuchs-Sondheimer和Mayadas-Shatzkes(FS-MS)传输模型可以对实验数据进行很好的拟合,拟合结果表明:当η＞ηc时,晶界散射和界面散射协同作用是Cu/Zr多层膜电阻率变化的主控机制;当η＜ηc时,晶界散射成为多层膜电阻率变化的主导因素.
关键词： 纳米多层膜   晶界   界面   电阻率
引用： 张国君, 关志良, 李娇, 王涛, 张金钰 Cu/Zr纳米多层膜的调制结构与电阻率. 中国材料进展, 2017, 36(5): 352-357. doi: 10.7502/j.issn.1674-3962.2017.05.05
参考文献：

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