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功能材料, 2017, 48(5): 5180-5184.
10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.033
磁控溅射制备Al掺杂氮化铜薄膜研究

袁作彬 1, , 左安友 2, , 李兴鳌 3,

1.湖北民族学院 理学院,湖北 恩施,445000;
2.湖北民族学院 理学院,湖北 恩施,445000;
3.南京邮电大学 材料科学与工程学院,南京,210046
利用磁控共溅射方法在玻璃基底上制备出了Al掺杂Cu3N薄膜,研究了其晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性.XRD结果表明Al掺杂没有引起峰位的明显变化,说明Al替代了Cu的位置或者进入晶界处,并且随掺杂含量升高,结晶度降低;扫描电子显微镜图像表明Al掺杂之后使得氮化铜晶粒形状变得不规则,晶界变得模糊,说明Al掺杂会抑制氮化铜晶体的生长;通过光学透射谱计算得到光学带隙,Al掺杂降低了氮化铜薄膜的光学带隙,并随着掺杂含量的增加而逐渐减小,实现了Al掺杂氮化铜薄膜光学带隙的连续可调,带隙减小源于Al外层电子的局域态进入氮化铜的带隙间,增加了中间态.同时四探针的测试也表明掺杂之后电阻率变小.
引用： 袁作彬, 左安友, 李兴鳌 磁控溅射制备Al掺杂氮化铜薄膜研究. 功能材料, 2017, 48(5): 5180-5184. doi: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.033
参考文献：

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