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功能材料, 2017, 48(5): 5023-5027.
10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.005
间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点

王继红 1, , 罗子江 2, , 周勋 3, , 丁召 4,

1.贵州大学 大数据与信息工程学院,贵阳,550025;
2.贵州财经大学 信息学院,贵阳,550025;
3.贵州师范大学 物理与电子科学学院,贵阳,550025;
4.贵州大学 大数据与信息工程学院,贵阳,550025
采用间歇式As中断方法利用分子束外延(MBE)生长了不同厚度的InGaAs量子点,并通过反射式高能电子衍射仪(RHEED)以及扫描隧道显微镜(STM)对其表面进行形貌表征与分析.研究发现间歇式As中断方法有利于改善量子点的均匀性,同时量子点的表面形貌特征由生长温度和沉积厚度决定;量子点沉积厚度越大,量子点面密度越高;在一定生长温度范围内,生长温度越高量子点分布均匀性越强,反之则越弱;研究还发现InGaAs量子点的生长过程中存在3个截然不同的阶段和两种明显的生长模式转变点,3个阶段分别是层状生长阶段、量子点形成阶段和量子点自合并成熟阶段,两种生长模式转变点分别是SK转变和量子点自合并熟化转变.
关键词： 间歇式As中断   InGaAs   量子点   MBE/STM
引用： 王继红, 罗子江, 周勋, 丁召 间歇式As中断生长InGaAs/GaAs量子点. 功能材料, 2017, 48(5): 5023-5027. doi: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.05.005
参考文献：

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