㒄
㐴
功能材料, 2017, 48(4): 4096-4104.
10.3969/j.issn.1001-9731.2017.04.016
直流反应磁控溅射制备单一相Cu2O薄膜及光电性能研究

王进霞 1, , 洪瑞金 2, , 张涛 3, , 陶春先 4, , 张大伟 5,

1.上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海,200093;
2.上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;教育部光学仪器与系统工程中心上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;
3.上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海,200093;
4.上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;教育部光学仪器与系统工程中心上海市现代光学系统重点实验室,上海200093;
5.上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海200093;教育部光学仪器与系统工程中心上海市现代光学系统重点实验室,上海200093
室温下,采用直流反应磁控溅射法制备透明导电氧化亚铜(Cu2O)薄膜.利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪及拉曼光谱仪分别研究不同沉积时间下制备的Cu2O薄膜的晶体结构、表面形貌、电阻率及表面增强拉曼散射特性.实验结果表明,沉积时间为3和6 min时,获得单一相的透明导电Cu2O薄膜;随着沉积时间的增加,薄膜由非晶态转变为(111)方向择优生长,薄膜致密且颗粒呈球状,其粗糙度的均方根(RMS)值增大,薄膜电阻率呈下降趋势;以罗丹明B(RhB)为探针分子,表征样品表面增强拉曼活性,通过对比不同样品表面RhB的拉曼光谱,其散射强度随薄膜表面粗糙度的增大而增强.
引用： 王进霞, 洪瑞金, 张涛, 陶春先, 张大伟 直流反应磁控溅射制备单一相Cu2O薄膜及光电性能研究. 功能材料, 2017, 48(4): 4096-4104. doi: 10.3969/j.issn.1001-9731.2017.04.016
参考文献：

相似文献: