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液晶与显示 , 2017, 32(6): 467-473.
10.3788/YJYXS20173206.0467
纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究

韦海成 1, , 许亚杰 2, , 肖明霞 3, , 吉文欣 4,

1.北方民族大学电气信息工程学院,宁夏 银川,750011;
2.北方民族大学电气信息工程学院,宁夏 银川,750011;
3.北方民族大学电气信息工程学院,宁夏 银川,750011;
4.宁夏大学能源化工重点实验室,宁夏 银川,750021
为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)2以及三段式温度煅烧Mg(OH)2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征.在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响.实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65 nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长.常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高.
引用： 韦海成, 许亚杰, 肖明霞, 吉文欣 纳米MgO晶体制备及其二次电子发射系数理论研究. 液晶与显示 , 2017, 32(6): 467-473. doi: 10.3788/YJYXS20173206.0467
参考文献：

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