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液晶与显示 , 2017, 32(5): 367-371.
10.3788/YJYXS20173205.0367
图形化氧化锌阵列的制备及其场发射性能研究

康冬茹 1, , 叶芸 2, , 汪江胜 3, , 吕珊红 4, , 辛琦 5, , 郭太良 6,

1.福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州,350002;
2.福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州,350002;
3.福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州,350002;
4.福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州,350002;
5.福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州,350002;
6.福州大学 物理与信息工程学院,福建 福州,350002
为了减小场发射的屏蔽效应,采用图形化技术对氧化锌(ZnO)纳米枝阵列进行调控,并研究图形化ZnO枝阵列的性能.首先采用光刻法在ITO导电玻璃上制备图形化ZnO种子层,再用电沉积法在图形化种子层上生长ZnO纳米枝阵列.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)研究所制备的图形化ZnO阵列形貌、结构等,并测试其场发射性能.研究结果表明,制备的图形化ZnO纳米枝是圆阵列,直径为330 μm左右,纳米ZnO主干平均直径为400~500 nm,发现主干上有一些精细的类似锥状的纳米量级微细枝结构,并且具有良好的场发射性能,开启场强为2.15V/μm,场增强因子为16 109.该图形化生长ZnO阵列阴极的方法是一种能较好改善材料场发射性能的方法,在场发射应用领域表现出较好的前景.
引用： 康冬茹, 叶芸, 汪江胜, 吕珊红, 辛琦, 郭太良 图形化氧化锌阵列的制备及其场发射性能研究. 液晶与显示 , 2017, 32(5): 367-371. doi: 10.3788/YJYXS20173205.0367
参考文献：

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