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液晶与显示 , 2017, 32(1): 19-22.
10.3788/YJYXS20173201.0019
ADS 模式低存储电容像素设计

栗鹏 1, , 朴正淏 2, , 金熙哲 3, , 金在光 4, , 尚飞 5, , 邱海军 6, , 高文宝 7, , 韩乾浩 8,

1.重庆京东方光电科技有限公司,重庆,400700;
2.重庆京东方光电科技有限公司,重庆,400700;
3.重庆京东方光电科技有限公司,重庆,400700;
4.重庆京东方光电科技有限公司,重庆,400700;
5.重庆京东方光电科技有限公司,重庆,400700;
6.重庆京东方光电科技有限公司,重庆,400700;
7.重庆京东方光电科技有限公司,重庆,400700;
8.重庆京东方光电科技有限公司,重庆,400700
高级超维场转换技术(Advanced Super Dimension Switch,简称 ADS)是以宽视角技术为代表的核心技术统称,其显示模式过大的存储电容(C st )成为限制 Dual Gate GOA 4K TV 应用的主要因素.在较短的充电时间内,像素为了维持相同的充电率,需要降低 C st .本文采用一种双条形电极 ADS 结构(Dual Slit ADS),其中像素电极与公共电极交叠区域形成 ADS 结构,像素电极与公共电极间隔区域形成共面转换(IPS)结构,通过减少像素电极与公共电极的交叠面积,起到降低 ADS 模式 C st 的目的.模拟结果表明：当 ADS 显示模式采用 Dual Slit ADS 设计时,像素的 C st 可以下降30％~40％.实验结果表明：采用 Low Cst Pixel ADS 设计时,VGH Margin 可以增大2．5 V,但受到像素电极和公共电极的对位影响,透过率下降5％.
引用： 栗鹏, 朴正淏, 金熙哲, 金在光, 尚飞, 邱海军, 高文宝, 韩乾浩 ADS 模式低存储电容像素设计. 液晶与显示 , 2017, 32(1): 19-22. doi: 10.3788/YJYXS20173201.0019
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