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中国有色金属学报, 2017, 27(5): 960-966.
10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.05.012
Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算

张明举 1, , 李文明 2, , 郑树凯 3,

1.河北大学 电子信息工程学院,保定 071002;河北大学 计算材料与器件模拟研究中心,保定 071002;
2.河北大学 电子信息工程学院,保定 071002;河北大学 计算材料与器件模拟研究中心,保定 071002;
3.河北大学 电子信息工程学院,保定 071002;河北大学 计算材料与器件模拟研究中心,保定 071002
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(PWPP)方法,模拟计算未掺杂,Lu、F单掺杂及Lu-F共掺杂ZnO的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质.结果表明:掺杂后ZnO的晶格常数发生畸变,晶胞体积增大,禁带宽度不同程度地减小;在光学性质方面,F单掺杂较Lu单掺杂和Lu-F共掺杂时在可见光区的吸收系数和反射低,反映前者在可见光范围具有较高的透射率.
引用： 张明举, 李文明, 郑树凯 Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算. 中国有色金属学报, 2017, 27(5): 960-966. doi: 10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.05.012
参考文献：

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