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电镀与涂饰 , 2017, 36(9): 462-467.
10.19289/j.1004-227x.2017.09.005
铜-二氧化硅凝胶薄膜的电化学制备及其光学性能

冯砚艳 1, , 王星星 2, , 辜敏 3,

1.煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室,重庆大学资源及环境科学学院,重庆400044;
2.煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室,重庆大学资源及环境科学学院,重庆400044;
3.煤矿灾害动力学与控制国家重点实验室,重庆大学资源及环境科学学院,重庆400044
以CuCl2·2H2O和正硅酸乙酯(TEOS)作为前驱体,配制了透明稳定的Cu2+-SiO2复合溶胶.采用循环伏安法研究了Cu2+在该溶胶中的电化学性质,以恒电位法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃表面沉积了凝胶复合薄膜.采用扫描电镜、能谱、X射线衍射对复合薄膜进行了表征,以紫外-可见光谱测试了薄膜的线性光学性能.结果表明,控制电位在-0.24 ～ 0.2 V和负于-0.24 V(相对于饱和甘汞电极)可分别制备出Cu+-SiO2和Cu-SiO2凝胶薄膜,前者的平均光学带隙宽度(Eg)为1.94 eV,略高于后者的1.92 eV.由于Cu在溶胶中是连续成核,导致了Cu-SiO2凝胶薄膜中的Cu颗粒大小不均匀(在几十纳米至几微米之间),吸收光谱在400～500 nm出现了Cu带间迁移的吸收峰.
引用： 冯砚艳, 王星星, 辜敏 铜-二氧化硅凝胶薄膜的电化学制备及其光学性能. 电镀与涂饰 , 2017, 36(9): 462-467. doi: 10.19289/j.1004-227x.2017.09.005
参考文献：

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