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表面技术 , 2017, 46(6): 143-150.
10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.06.022
离子源功率对a-C:H(Al)薄膜结构及性能的影响

赵凤丽 1, , 代明江 2, , 林松盛 3, , 许伟 4, , 侯慧君 5,

1.中南大学 材料科学与工程学院,长沙 410083;广东省新材料研究所 现代材料表面工程技术国家工程实验室 广东省现代表面工程技术重点实验室,广州 510650;
2.广东省新材料研究所 现代材料表面工程技术国家工程实验室 广东省现代表面工程技术重点实验室,广州,510650;
3.广东省新材料研究所 现代材料表面工程技术国家工程实验室 广东省现代表面工程技术重点实验室,广州,510650;
4.中南大学 材料科学与工程学院,长沙 410083;广东省新材料研究所 现代材料表面工程技术国家工程实验室 广东省现代表面工程技术重点实验室,广州 510650;
5.广东省新材料研究所 现代材料表面工程技术国家工程实验室 广东省现代表面工程技术重点实验室,广州,510650
目的 研究离子源功率对a-C:H(Al)薄膜结构及性能的影响.方法 采用阳极离子源离化CH4气体,中频磁控溅射Al靶,通过改变离子源功率,在n(100)型单晶硅及16MnCr5钢基体上沉积a-C:H(Al)薄膜.利用扫描电镜、维氏显微硬度计、摩擦磨损试验机和表面轮廓仪等设备对a-C:H(Al)薄膜的结构及性能进行表征.结果 薄膜的硬度均在1000HV以上.摩擦系数较低,为0.05~0.15.离子源功率为450 W时,薄膜摩擦系数和结合力均出现了最优值,分别为0.05和21.46 N.离子源功率在550 W时,磨损率达到最低值,为3.59×10?7 mm3/(N·m).结论 离子源功率较低时,薄膜表面较疏松,随着离子源功率的增加,薄膜逐渐趋于平整致密.随离子源功率的增加,薄膜的硬度增大,薄膜的结合力先增大后减小,而薄膜的摩擦系数先减小后增大,磨损宽度减小,磨损深度降低,磨损率减小.
引用： 赵凤丽, 代明江, 林松盛, 许伟, 侯慧君 离子源功率对a-C:H(Al)薄膜结构及性能的影响. 表面技术 , 2017, 46(6): 143-150. doi: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2017.06.022
参考文献：

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