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无机材料学报, 2017, 32(4): 437-442.
10.15541/jim20160456
MBE技术蓝宝石衬底上生长VO2薄膜及其太赫兹和金属-绝缘体相变特性研究

孙洪君 1, , 王敏焕 2, , 边继明 3, , 苗丽华 4, , 章俞之 5, , 骆英民 6,

1.大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024;
2.大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024;
3.大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024;中国科学院 上海硫酸盐研究所 中国科学院特种无机涂层重点实验室,上海 200050;
4.大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024;
5.中国科学院 上海硫酸盐研究所 中国科学院特种无机涂层重点实验室,上海,200050;
6.大连理工大学 三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连 116024
采用分子束外延(MBE)技术在单晶蓝宝石衬底上生长了高质量化学计量比二氧化钒(VO2)薄膜,通过该技术实现薄膜厚度15～60 nm精确控制.对于优化条件下VO2薄膜,实现了电阻率变化超过4个数量级的优异金属-绝缘体相变,近似于之前报道高质量单晶VO2相变特性.特别是通过太赫兹时域光谱分析了不同厚度的VO2薄膜在太赫兹波段的光学特性.结果表明:VO2薄膜的厚度对其在太赫兹波段的光学特性有很大影响.因此,为了获得更优的可靠性和重复性能,VO2薄膜的厚度必须得到精确控制.本研究结果对于下一步VO2基太赫兹器件研究具有重要意义.
引用： 孙洪君, 王敏焕, 边继明, 苗丽华, 章俞之, 骆英民 MBE技术蓝宝石衬底上生长VO2薄膜及其太赫兹和金属-绝缘体相变特性研究. 无机材料学报, 2017, 32(4): 437-442. doi: 10.15541/jim20160456
参考文献：

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