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无机材料学报, 2017, 32(4): 346-350.
10.15541/jim20160381
GdI3∶Ce晶体的生长及其闪烁性能研究

叶乐 1, , 史坚 2, , 李焕英 3, , 陈晓峰 4, , 黄跃峰 5, , 徐家跃 6, , 任国浩 7,

1.上海应用技术大学 材料科学与工程学院,上海 201418;中国科学院 上海硅酸盐研究所,上海 201800;
2.中国科学院 上海硅酸盐研究所,上海,201800;
3.中国科学院 上海硅酸盐研究所,上海,201800;
4.中国科学院 上海硅酸盐研究所,上海,201800;
5.中国科学院 上海应用物理研究所,上海,201800;
6.上海应用技术大学 材料科学与工程学院,上海,201418;
7.中国科学院 上海硅酸盐研究所,上海,201800
通过坩埚下降法生长GdI3∶2％Ce及无掺杂GdI3闪烁晶体,得到φ15 mm×20 mm的晶体毛坯,从中加工出尺寸分别为12 mm×10 mm×2.5 mm和11 mm×8 mm×2.5 mm的无包裹体、无开裂的晶体样品,封装后检测该晶体光学性能.XRD分析结果表明:掺杂晶体GdI3∶2％Ce与无掺杂GdI3晶体结构相同.X射线激发发射(XEL)和紫外激发发射谱(PL)测试结果显示:GdI3∶2％Ce晶体在450～700 nm有宽带发光峰,发光峰位分别位于520 nm和550 nm,对应于Ce3+的5d-4f跃迁发光.以550nm为监控波长,测得在紫外激发下存在三个激发峰,分别位于262、335和440 nm.GdI3∶2％Ce晶体在137Cs源伽马射线(662 keV)激发下能量分辨率为3.4％,通过高斯拟合得到的衰减时间为58±3 ns.研究表明,GdI3∶2％Ce晶体是一种良好的伽马和中子探测材料,具有广泛的应用前景.
引用： 叶乐, 史坚, 李焕英, 陈晓峰, 黄跃峰, 徐家跃, 任国浩 GdI3∶Ce晶体的生长及其闪烁性能研究. 无机材料学报, 2017, 32(4): 346-350. doi: 10.15541/jim20160381
参考文献：

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