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无机材料学报, 2017, 32(4): 372-378.
10.15541/jim20160333
原位氧化法制备Zn-Ni氢氧化物纳米片及其电荷存储特性研究

祁星耀 1, , 周清锋 2, , 崔芒伟 3, , 杨永珍 4, , 蒋海伟 5, , 梁伟 6, , 康利涛 7,

1.太原理工大学 材料科学与工程学院,太原,030024;
2.太原理工大学 材料科学与工程学院,太原,030024;
3.太原理工大学 材料科学与工程学院,太原,030024;
4.太原理工大学 材料科学与工程学院,太原,030024;
5.太原理工大学 材料科学与工程学院,太原,030024;
6.太原理工大学 材料科学与工程学院,太原,030024;
7.太原理工大学 材料科学与工程学院,太原,030024
通过简单、低成本的化学浴沉积法在泡沫镍上原位生成了Zn-Ni氢氧化物(Zn-Ni double hydroxides)纳米片.SEM观察结果表明,Zn-Ni氢氧化物纳米片均匀附着在泡沫镍表面,形成均一的多孔纳米片阵列层.此外,还有大量的Zn-Ni氢氧化物纳米片聚集成多孔团聚体,分布于泡沫镍骨架的空隙处,从而获得较高的活性物质负载量(4.27 mg/cm2).CV、CP和电化学阻抗测试表明,Zn-Ni氢氧化物纳米片在2 mol/L KOH电解液中充放电电流密度1 A/g时,比电容为746.2 F/g(面积电容为3.18 F/cm2);3000次充放电循环后,仍保持70.9％的初始比电容.
引用： 祁星耀, 周清锋, 崔芒伟, 杨永珍, 蒋海伟, 梁伟, 康利涛 原位氧化法制备Zn-Ni氢氧化物纳米片及其电荷存储特性研究. 无机材料学报, 2017, 32(4): 372-378. doi: 10.15541/jim20160333
参考文献：

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