无机材料学报, 2017, 32(3): 252-256.
10.15541/jim20160327
Si3N4掺杂氮化对Sr3SiO5:Eu2+荧光粉发光性能的影响
张双双
1,
,
田文郁
2,
,
张建新
3,
,
宋开新
4,
,
秦会斌
5,
1.杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,杭州,310018;
2.杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,杭州,310018;
3.杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,杭州,310018;
4.杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,杭州,310018;
5.杭州电子科技大学新型电子器件与应用研究所,杭州,310018
采用高温固相法制备Si3N4掺杂氮化Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉.采用XRD、EDS和SEM测试结果表明:N3-进入Sr3SiO5基质晶格中取代部分O2-离子,形成了单一相Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+固溶体.PL&PLE荧光光谱测试结果显示,Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉在344nm紫外光的激发下发射出红橙光,属于Eu2+离子典型的4f65d1→4f7电子跃迁.随着N浓度的增加,Sr2.99SiO5-6xN4x:0.01Eu2+荧光粉发射光谱和激发光谱的强度明显增强.热稳定性测试结果表明,Si3N4掺杂氮化能够显著提高Sr3SiO5:Eu2+荧光粉的热稳定性.通过Arrhennius模型拟合结果表明横向穿越过程(crossover)引起的Sr3SiO5:Eu2+荧光粉氮化前后的温度猝灭.
引用：
张双双,
田文郁,
张建新,
宋开新,
秦会斌
Si3N4掺杂氮化对Sr3SiO5:Eu2+荧光粉发光性能的影响.
无机材料学报,
2017, 32(3): 252-256.
doi: 10.15541/jim20160327
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