无机材料学报, 2017, 32(2): 163-168.
10.15541/jim20160262
γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应

李锋锐 1, , 顾牡 2, , 何徽 3, , 畅里华 4, , 温伟峰 5, , 李泽仁 6, , 陈亮 7, , 刘金良 8, , 欧阳晓平 9, , 刘小林 10, , 刘波 11, , 黄世明 12, , 倪晨 13,

1.同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092;
2.同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092;
3.中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳,621900;
4.中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳,621900;
5.中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳,621900;
6.中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳,621900;
7.西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安,710024;
8.西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安,710024;
9.西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安,710024;
10.同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092;
11.同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092;
12.同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092;
13.同济大学物理科学与工程学院,上海市特殊人工微结构材料与技术重点实验室,上海200092

采用溶剂蒸发法生长出透明的带隙宽度为2.96 eV的γ-CuI晶体.在紫外光激发下,该晶体在410、430 nm处分别呈现有近带边发射峰,另在720 nm附近还出现一个与样品碘缺陷有关的宽发射带.经碘退火后,样品720 nm发射带被基本抑制,而在420 nm处出现了一个更强的近带边发射峰.使用扫描相机分别测量了γ-CuI晶体各发射峰(带)的衰减时间谱,其中近带边发射峰的发光衰减时间常数均在数十皮秒量级,表明γ-CuI晶体具有极快的时间响应特性;而720 nm发射带的发光衰减时间常数主要在数十纳秒量级.X射线激发下,γ-CuI晶体具有435 nm近带边发射峰和680 nm发射带,其近带边发射对X射线能量响应的测量结果表明,当Ex<49.1 keV时,γ-CuI晶体闪烁光快分量对X射线的探测效率相对较高.
引用: 李锋锐, 顾牡, 何徽, 畅里华, 温伟峰, 李泽仁, 陈亮, 刘金良, 欧阳晓平, 刘小林, 刘波, 黄世明, 倪晨 γ-CuI晶体的发光衰减时间和对X射线的能量响应. 无机材料学报, 2017, 32(2): 163-168. doi: 10.15541/jim20160262
参考文献:

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