无机材料学报, 2017, 32(2): 215-218.
10.15541/jim20160250
物理气相输运法生长AlN六方微晶柱

王华杰 1, , 刘学超 2, , 孔海宽 3, , 忻隽 4, , 高攀 5, , 卓世异 6, , 施尔畏 7,

1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201800;中国科学院大学,北京100049;
2.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;
3.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;
4.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;
5.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;
6.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800;
7.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700 ~ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200 ~ 400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明:AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌,台阶宽度为2~4μm,高度在几个纳米;拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量.PVT法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢,Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长,进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构.AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充,通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究,有望在微型光电器件领域表现出应用价值.
引用: 王华杰, 刘学超, 孔海宽, 忻隽, 高攀, 卓世异, 施尔畏 物理气相输运法生长AlN六方微晶柱. 无机材料学报, 2017, 32(2): 215-218. doi: 10.15541/jim20160250
参考文献:

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