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金属功能材料, 2017, 24(3): 18-24.
10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016081
磁控溅射制备低相转变温度氧化钒薄膜

李云龙 1, , 付花睿 2, , 张霄 3, , 周广迪 4, , 游才印 5, , 沈乾龙 6,

1.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
2.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
3.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
4.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
5.西安理工大学材料科学与工程学院,陕西西安,710048;
6.武警后勤学院,天津,300309
采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理.分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能.结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO2(M),VO2(M,B)和V6O13的混合结构,并且晶化程度逐渐提高.氧分压6.67％的薄膜相转变温度(TMST)接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST.氧分压10％的薄膜具有-2.38 ％/K的电阻温度系数(TCR)值和1.67×104 Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求.
引用： 李云龙, 付花睿, 张霄, 周广迪, 游才印, 沈乾龙 磁控溅射制备低相转变温度氧化钒薄膜. 金属功能材料, 2017, 24(3): 18-24. doi: 10.13228/j.boyuan.issn1005-8192.2016081
参考文献：

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