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宇航材料工艺 , 2017, 47(3): 37-41.
10.12044/j.issn.1007-2330.2017.03.009
引入TaSi2对ZrB2-20％SiC抗氧化性能的影响

吴坤 1, , 徐林 2, , 杨文彬 3, , 张寅 4, , 张大海 5,

1.航天材料及工艺研究所,北京,100076;
2.航天材料及工艺研究所,北京,100076;
3.航天材料及工艺研究所,北京,100076;
4.航天材料及工艺研究所,北京,100076;
5.航天材料及工艺研究所,北京,100076
将TaSi2引入到ZrB2-20％SiC中得到ZrB2-10％SiC-10％TaSi2,并在1 000、1 200、1 500和1 650℃有氧条件下分别氧化5、15和30 min.复合材料通过热压烧结法制备(1 950℃/30 MPa/30 min),并通过XRD及SEM等方法对氧化后的质量变化及微观结构进行了分析.结果表明,TaSi2的引入提高了ZrB2-20％SiC的致密度和力学性能,但是在1 200℃以上温度氧化时,ZrB2-10％SiC-10％TaSi2的抗氧化性有所降低.
引用： 吴坤, 徐林, 杨文彬, 张寅, 张大海 引入TaSi2对ZrB2-20％SiC抗氧化性能的影响. 宇航材料工艺 , 2017, 47(3): 37-41. doi: 10.12044/j.issn.1007-2330.2017.03.009
参考文献：

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