宇航材料工艺 , 2017, 47(1): 72-76.
10.12044/j.issn.1007-2330.2017.01.015
2219 T852过渡环与T87箱筒段电子束焊接接头性能
胡正根
1,
,
黄诚
2,
,
常志龙
3,
,
刘德博
4,
,
王明正
5,
1.北京宇航系统工程研究所,北京,100076;
2.北京宇航系统工程研究所,北京,100076;
3.北京宇航系统工程研究所,北京,100076;
4.北京宇航系统工程研究所,北京,100076;
5.航天材料及工艺研究所,北京,100076
基于贮箱用2219 T852整体过渡环与T87箱筒段的电子束环焊缝,开展了部段级电子束焊接接头常、低温力学性能测试,同时对焊接接头错缝量、断裂类型及金相组织进行了分析.研究结果表明:部段级常、低温2219 T852与T87电子束焊接接头的强度影响系数为0.63,低温状态下焊接接头的力学性能比室温状态下有所提高;错缝量与焊接接头力学性能成反比,其中对延伸率影响最为显著,低温有助于缓解错缝对焊接接头力学性能的弱化影响;电子束焊接接头组织不均匀性和结构形貌上的不连续性,特别是T852侧热影响区晶粒粗大,导致T852侧热影响区和焊缝接头根部为电子束焊缝的薄弱区域,焊接接头极易在该区域发生断裂.
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