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中国腐蚀与防护学报, 2016, 36(4): 375-380.
10.11902/1005.4537.2015.162
短期贮存对金属铜腐蚀电化学行为的影响

冯林 1, , 王燕华 2, , 钟莲 3, , 王佳 4, , 李爱娇 5, , 金晓晓 6,

1.中国海洋大学化学化工学院 海洋化学理论与工程技术教育部重点实验室 青岛266100;
2.中国海洋大学化学化工学院 海洋化学理论与工程技术教育部重点实验室 青岛266100;
3.中国海洋大学化学化工学院 海洋化学理论与工程技术教育部重点实验室 青岛266100;
4.中国海洋大学化学化工学院 海洋化学理论与工程技术教育部重点实验室 青岛266100;
5.中国海洋大学化学化工学院 海洋化学理论与工程技术教育部重点实验室 青岛266100;
6.中国海洋大学化学化工学院 海洋化学理论与工程技术教育部重点实验室 青岛266100
采用动电位极化(PDS)、电化学阻抗谱(EIS)、电容测量以及阵列电极等技术研究了Cu的短期贮存对其腐蚀电化学行为的影响.结果表明,金属Cu表面膜呈现p型半导体结构,经过短期贮存后载流子浓度减小,腐蚀电位正移,腐蚀电流密度下降,表面膜对腐蚀阴极过程、阳极过程均有抑制作用.Cu在NaCl液滴下呈现典型的局部腐蚀特征;经过贮存后,电极表面润湿性减弱,腐蚀活性降低,总体平均腐蚀强度减弱,但是局部腐蚀强度反而增强.
引用： 冯林, 王燕华, 钟莲, 王佳, 李爱娇, 金晓晓 短期贮存对金属铜腐蚀电化学行为的影响. 中国腐蚀与防护学报, 2016, 36(4): 375-380. doi: 10.11902/1005.4537.2015.162
参考文献：

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