材料导报, 2017, 31(5): 112-134.
10.11896/j.issn.1005-023X.2017.09.015
面向等离子体材料钨中氘/氦滞留行为的研究进展

王维 1, , 叶小球 2, , 陈长安 3, , 李强 4, , 金伟 5, , 杨勇彬 6, , 高涛 7,

1.四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065;表面物理与化学重点实验室,江油 621908;
2.表面物理与化学重点实验室,江油,621908;
3.表面物理与化学重点实验室,江油,621908;
4.表面物理与化学重点实验室,江油,621908;
5.表面物理与化学重点实验室,江油,621908;
6.表面物理与化学重点实验室,江油,621908;
7.四川大学原子与分子物理研究所,成都,610065

作为面向等离子体材料,钨(W)在服役的过程中不仅受到等离子体造成的高能热负荷的作用,还受到高束流粒子如氘(D)、氚(T)、氦(He)等的轰击和D-T聚变反应产生的高能中子的影响.W中D、T、He的滞留和起泡,仍是聚变堆装置中有待解决的关键问题之一.综述了D、T和He的滞留行为及其气泡形成与辐照条件之间的关系,简要评述了W的服役性能和强化机理.通过降低W中D/He滞留量、抑制气泡的形成可有效改善W的服役性能.深入研究D/He滞留行为与辐照缺陷之间的相互作用关系,进而构建D/He的宏观热脱附行为与其微观状态之间的对应关系,为寻找合适途径来改善W的服役性能提供理论支撑.
关键词:       滞留   起泡
引用: 王维, 叶小球, 陈长安, 李强, 金伟, 杨勇彬, 高涛 面向等离子体材料钨中氘/氦滞留行为的研究进展. 材料导报, 2017, 31(5): 112-134. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.09.015
参考文献:

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