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材料导报, 2017, 31(7): 54-64.
10.11896/j.issn.1005-023X.2017.07.008
氮化铟薄膜的p型掺杂和铁磁性研究进展

李允怡 1, , 王伟 2, , 刘志军 3, , 龚威 4, , 解其云 5,

1.南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023;
2.南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023;
3.南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023;
4.南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023;
5.南京邮电大学电子科学与工程学院,南京,210023
Ⅲ族氮化物半导体材料(InN、GaN、AlN)由于能带结构的特殊性,使其在光电器件与微波等领域得到广泛应用.其中,研究和发展InN材料及器件已被公认是占领光电信息技术领域战略至高点的重要途径,InN材料的p型导电以及室温铁磁性研究更是成为Ⅲ族氮化物中新颖的研究课题.首先简单介绍InN的晶体结构和制备方法,并分析其目前所遇到的挑战,然后重点阐述国际上关于InN在p型掺杂以及铁磁性领域的研究进展,同时介绍本课题组在该方面的研究,最后进行了简要总结和展望.
关键词： 氮化铟   p型掺杂   铁磁性   薄膜制备
引用： 李允怡, 王伟, 刘志军, 龚威, 解其云 氮化铟薄膜的p型掺杂和铁磁性研究进展. 材料导报, 2017, 31(7): 54-64. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.07.008
参考文献：

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