材料导报, 2017, 31(4): 14-16.
10.11896/j.issn.1005-023X.2017.04.004
Ti/Al/Ni/Au在N-polar GaN上的欧姆接触
王现彬
1,
,
王颖莉
2,
,
赵正平
3,
1.石家庄学院物理与电气信息工程学院,石家庄,050000;
2.石家庄学院物理与电气信息工程学院,石家庄,050000;
3.河北工业大学信息工程学院,天津,300130
N-polar GaN以其特有的材料特性和化学活性日益受到研究者关注,而N-polar GaN上欧姆接触也成为研究的热点.以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属,分析了N-polar GaN上欧姆接触的最优退火条件,并借助剖面透射电子显微镜(TEM)和能量色散X射线能谱仪(EDX)研究了金属和N-polar GaN之间的反应生成物.结果表明,当退火温度升高到860℃时,可得到比接触电阻率ρc为1.7×10-5Ω·cm2的最优欧姆接触特性.TEM和EDX测试发现,除了生成已报道的AlN,还会在界面处产生多晶AlOx,两者共同作用会进一步拉高势垒,从而对N-polar GaN上欧姆接触产生不利影响.
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