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材料导报, 2017, 31(4): 9-13.
10.11896/j.issn.1005-023X.2017.04.003
钠钙玻璃上Mg2Si薄膜的制备及其电学性质

房迪 1, , 肖清泉 2, , 廖杨芳 3, , 袁正兵 4, , 王善兰 5, , 吴宏仙 6,

1.贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;
2.贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;安顺学院航空电子电气与信息网络贵州省高校工程技术研究中心,安顺561000;
3.贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025;贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001;
4.贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;
5.贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025;
6.贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳,550025
采用磁控溅射技术和退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备了Mg2Si半导体薄膜,研究了Mg膜厚度对Mg2Si薄膜结构及其电学性质的影响.在钠钙玻璃上分别溅射两组相同厚度(175 nm)的P-Si和N-Si膜,然后在其上溅射不同厚度Mg膜(240nm、256nm、272nm、288nm、304nm),低真空退火4h制备一系列Mg2Si半导体薄膜.通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪对Mg2Si薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性质进行表征与分析.结果表明:采用磁控溅射技术在钠钙玻璃衬底上成功制备出以Mg2Si (220)为主的Mg2Si薄膜.随着沉积Mg膜厚度的增加,Mg2Si衍射峰逐渐增强,薄膜表面更连续,电阻率逐渐减小,霍尔迁移率逐渐降低,载流子浓度逐渐增加.此外,Si膜导电类型和Mg膜厚度共同影响Mg2Si薄膜的导电类型.溅射N-Si膜时,Mg2Si薄膜的导电类型随着Mg膜厚度的增加由P型转化为N型;溅射P-Si膜时,Mg2Si薄膜的导电类型为P型.可以控制制备的Mg2Si半导体薄膜的导电类型,这对Mg2Si薄膜的器件开发有着重要的指导意义.
引用： 房迪, 肖清泉, 廖杨芳, 袁正兵, 王善兰, 吴宏仙 钠钙玻璃上Mg2Si薄膜的制备及其电学性质. 材料导报, 2017, 31(4): 9-13. doi: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.04.003
参考文献：

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