人工晶体学报, 2017, 46(5): 820-824.
低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备

杨俊 1, , 段满龙 2, , 卢伟 3, , 刘刚 4, , 高永亮 5, , 董志远 6, , 王俊 7, , 杨凤云 8, , 王凤华 9, , 刘京明 10, , 谢辉 11, , 王应利 12, , 卢超 13, , 赵有文 14,

1.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
2.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
3.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
4.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
5.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
6.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
7.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
8.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
9.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
10.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
11.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
12.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
13.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;
14.中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,北京 100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049

采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备.通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te 整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg, 成晶率可达80%以上.4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm-2,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好.晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性.经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片.通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底.
引用: 杨俊, 段满龙, 卢伟, 刘刚, 高永亮, 董志远, 王俊, 杨凤云, 王凤华, 刘京明, 谢辉, 王应利, 卢超, 赵有文 低位错密度4 inch GaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 820-824. doi: 
参考文献:

相似文献: