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人工晶体学报, 2017, 46(5): 766-771.
MOVPE生长GaN薄膜的表面吸附和扩散研究

唐斌龙 1, , 张红 2, , 左然 3,

1.江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013;
2.江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013;
3.江苏大学能源与动力工程学院,镇江,212013
利用量子化学计算方法,对MOVPE生长GaN薄膜的表面反应进行研究.特别针对反应前体GaCH3(简称MMG)在理想、H覆盖和NH2覆盖GaN(0001)面的吸附和扩散进行计算分析.通过建立3×3 超晶胞模型,优化计算了MMG在三种不同覆盖表面的稳定吸附位、吸附能和电子布居,搜寻了MMG在稳定吸附位之间的扩散能垒.计算结果表明:对于三种表面,MMG的稳定吸附位均为T4位和H3位,H3位比T4位略微稳定.MMG在NH2覆盖表面吸附能最大,在H覆盖表面吸附能最小,在理想表面吸附能居中.MMG中的Ga与不同的表面原子形成的化学键的键强的大小顺序为:Ga-N>Ga-Ga>Ga-H.相比于理想表面和H覆盖表面,MMG在NH2覆盖表面的扩散能垒最大,因此表面过量的NH2会抑制MMG的扩散.
关键词： GaN   MOVPE   表面吸附   表面扩散
引用： 唐斌龙, 张红, 左然 MOVPE生长GaN薄膜的表面吸附和扩散研究. 人工晶体学报, 2017, 46(5): 766-771. doi: 
参考文献：

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