人工晶体学报, 2017, 46(1): 33-37.
改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶

张春丽 1, , 吴海信 2, , 倪友保 3, , 黄昌保 4, , 王振友 5, , 陈诗静 6,

1.中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031; 中国科学技术大学,合肥230026;
2.中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031;
3.中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031;
4.中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031;
5.中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031;
6.中国科学院合肥物质科学研究院,安徽光学精密机械研究所,安徽省光子器件与材料重点实验室,合肥230031; 中国科学技术大学,合肥230026

采用改进的双温区水平籽晶气相升华法,生长出尺寸为?15 mm ×35 mm的完整CdSe单晶体。经X射线衍射仪、能谱分析仪和傅里叶红外光谱仪的检测,CdSe单晶粉末衍射谱与标准衍射峰吻合较好,单晶摇摆曲线半高宽0.5°;Cd、Se化学计量比等于1∶0.977,接近理想比;晶体在2.5~20.0μm红外波段范围内的透过率T >65%,吸收系数α<0.1 cm-1。这些结果表明,采用本方法生长的晶体结晶性较好、成分均匀、透过率较高,品质良好,这对生长类似高蒸气压、高熔点的III-V、II-VI族晶体,会有所帮助。
引用: 张春丽, 吴海信, 倪友保, 黄昌保, 王振友, 陈诗静 改进水平籽晶气相法生长CdSe单晶. 人工晶体学报, 2017, 46(1): 33-37. doi: 
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