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人工晶体学报, 2017, 46(1): 148-152.
退火工艺对可控硅辐照效应的影响

陈祖良 1, , 李兆龙 2, , 王华明 3, , 岳巍 4, , 章月红 5, , 谢裕颖 6,

1.浙江省能源与核技术应用研究院,杭州,310012;
2.浙江省能源与核技术应用研究院,杭州,310012;
3.浙江省能源与核技术应用研究院,杭州,310012;
4.浙江省能源与核技术应用研究院,杭州,310012;
5.浙江省能源与核技术应用研究院,杭州,310012;
6.浙江省能源与核技术应用研究院,杭州,310012
应用1.4 MeV电子束对单向可控硅晶圆芯片进行固定注量率辐照，通过触发电流和少子寿命表征辐照效应，研究了退火工艺对辐照效应的影响。结果表明：电子辐照缩短单向可控硅少子寿命，增大触发电流。经350℃退火后触发电流恢复到辐照前水平，少子寿命虽有一定恢复，但远比辐照前短。在试验的注量范围内k系数为常数，退火后k系数与注量相关，小注量时较小。常温存放对辐照效应有较大影响，长时间存放不利于200℃退火而有利于300℃退火。
引用： 陈祖良, 李兆龙, 王华明, 岳巍, 章月红, 谢裕颖 退火工艺对可控硅辐照效应的影响. 人工晶体学报, 2017, 46(1): 148-152. doi: 
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