兵器材料科学与工程 , 2016, 39(6): 78-82.
直流电弧法制备SiC@C核壳型纳米粒子及吸波性能研究
卓绝
1,
,
黄昊
2,
,
丁昂
3,
1.大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室,辽宁 大连,116024;
2.大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室,辽宁 大连,116024;
3.中国兵器科学研究院宁波分院,浙江 宁波,315103
采用等离子直流电弧法,在氢气、氩气、甲烷分压分别为10、20、7.5 kPa的混合气氛下制备纳米SiC@C核壳型复合粒子.利用XRD、Raman对纳米粒子的成分进行表征,用TEM对其形貌进行分析.将纳米SiC@C复合粒子均匀分散在石蜡基体中,在100 MHz～18 GHz频率内测定其复介电常数.结果表明,当电磁波吸收材料匹配厚度为8mm、测试频率为9.49 GHz时,最大反射损耗能达到-27 dB.对SiC介电特性分析进一步表明,SiC中的C空位(VC)和Si空位(Vsi)产生的偶极子发生的弛豫过程和SiC缺陷带来的电导率变化是影响介电性能的关键因素.
引用：
卓绝,
黄昊,
丁昂
直流电弧法制备SiC@C核壳型纳米粒子及吸波性能研究.
兵器材料科学与工程 ,
2016, 39(6): 78-82.
doi:
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